8月28日(ri)舉行(xing)的PCIM Asia 2024展上(shang)，賽晶科技所屬(shu)子公(gong)司SwissSEM正式發(fa)布1200V/13mΩ SiC MOSFET芯片(pian)，并(bing)由芯片(pian)專家做現場報(bao)告《高溫導通電阻行(xing)業(ye)領先的1.2kV SiC MOSFET，適用于電動(dong)汽車緊湊(cou)型逆(ni)變器》。

賽(sai)晶科技SiC MOSFET芯片

碳(tan)化(hua)(hua)硅（SiC）具有(you)高擊(ji)穿電(dian)(dian)(dian)場、高飽和電(dian)(dian)(dian)子(zi)速(su)度、高熱(re)導率(lv)、高電(dian)(dian)(dian)子(zi)密度和高遷(qian)移率(lv)等特點，是良好的(de)(de)半導體材料，廣泛應用(yong)于新能(neng)源(yuan)(yuan)汽(qi)(qi)車(che)、光伏逆(ni)變(bian)、電(dian)(dian)(dian)力(li)儲能(neng)、服務器(qi)電(dian)(dian)(dian)源(yuan)(yuan)、工(gong)業電(dian)(dian)(dian)源(yuan)(yuan)變(bian)頻、智能(neng)電(dian)(dian)(dian)網、軌道交通等各個(ge)領域。尤其在新能(neng)源(yuan)(yuan)汽(qi)(qi)車(che)領域，碳(tan)化(hua)(hua)硅（SiC）功率(lv)器(qi)件有(you)助于實現新能(neng)源(yuan)(yuan)車(che)電(dian)(dian)(dian)力(li)電(dian)(dian)(dian)子(zi)驅(qu)(qu)動系(xi)統(tong)輕量化(hua)(hua)、高效化(hua)(hua)，在新能(neng)源(yuan)(yuan)車(che)的(de)(de)主驅(qu)(qu)逆(ni)變(bian)器(qi)等關鍵電(dian)(dian)(dian)控部件中將(jiang)發揮(hui)更重(zhong)要的(de)(de)作用(yong)。隨著全球對(dui)于電(dian)(dian)(dian)動汽(qi)(qi)車(che)接納程(cheng)度的(de)(de)逐步提升，碳(tan)化(hua)(hua)硅（SiC）在未來十(shi)年將(jiang)會迎(ying)來全新的(de)(de)增長契(qi)機。

本次發布的賽晶科(ke)技SiC MOSFET芯(xin)片(pian)，采(cai)用多(duo)項行業領先(xian)的特色設計和工藝，包括：

-- 芯(xin)片(pian)邊沿至金(jin)屬層僅為約100微(wei)米；      -- 元胞間距(ju)降低至最小5.0微(wei)米；

-- 獲得最佳性能(neng)的短溝道設(she)計；     ;          -- 元胞間的電流擴散注入；

-- 柵極金屬布局連續環(huan)繞在芯片周圍；     -- 有源區(qu)內多晶硅柵極澆道(dao)；

-- 連續的鋁銅源極焊(han)盤(pan)。

源于(yu)出(chu)色的(de)(de)設(she)計和(he)工藝(yi)，我(wo)們(men)的(de)(de)SiC MOSFET芯片在(zai)高溫工作條件下(xia)，展現出(chu)了(le)極(ji)佳的(de)(de)靜態和(he)動態特性，并且達到了(le)行業一流水平(ping)的(de)(de)1200V/13mΩ。

此外，采用(yong)此SiC MOSFET芯(xin)片，賽晶科(ke)技還推出了多個(ge)型號的(de)車(che)規級(ji)、高性能HEEV封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)、EVD封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)SiC模塊。HEEV封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)、EVD封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)SiC模塊采用(yong)行(xing)業領先的(de)設計和(he)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)工藝，具有非常出色的(de)散(san)熱性能，以及極(ji)佳的(de)可靠性、魯(lu)棒性，并可以覆蓋100KW至(zhi)300KW 主(zhu)流電(dian)動汽(qi)車(che)應用(yong)需(xu)求，特別是電(dian)動汽(qi)車(che)緊湊型逆變器。

同(tong)期(qi)展出的賽(sai)晶i20 IGBT芯片、ED封(feng)(feng)裝IGBT模塊(kuai)(kuai)、ST封(feng)(feng)裝IGBT模塊(kuai)(kuai)、BEVD封(feng)(feng)裝IGBT模塊(kuai)(kuai)、EP封(feng)(feng)裝IGBT模塊(kuai)(kuai)，以及HEEV封(feng)(feng)裝SiC模塊(kuai)(kuai)、EVD封(feng)(feng)裝SiC模塊(kuai)(kuai)產品，受(shou)到了與會者(zhe)的高度關(guan)注和熱(re)(re)烈反響，吸(xi)引(yin)眾多與會者(zhe)、現場嘉賓(bin)的熱(re)(re)烈關(guan)注和深入交流。

澎湃“芯(xin)”動力(li)，賦(fu)能(neng)“芯(xin)”未來(lai)，在(zai)全球巨頭林立的PCIM Asia 2024，賽晶自主(zhu)研發IGBT、SiC芯(xin)片及模塊等(deng)眾多產品，憑借國(guo)際一(yi)流(liu)的技術水平和卓(zhuo)越的性能(neng)表(biao)現，贏(ying)得國(guo)內(nei)外(wai)業(ye)內(nei)專家和客戶(hu)的一(yi)致認可(ke)和高度贊(zan)譽。