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堅持走在技術前沿!賽晶半導體破卷出“芯”

發布時間:2024-09-13

過去幾年,功率半導體隨著新能源汽車以及光伏產業的一路狂奔,其市場規模在半導體行業整體下滑的大趨勢下逆勢生長,業績在一眾半導體公司中顯得非常亮眼。此外,隨著功率半導體的應用領域逐漸拓寬,也大大增加了對功率半導體器件的需求,為國內功率半導體企業提供了更多的市場機遇。

在(zai)備受矚目的(de)(de)PCIM Asia 2024展(zhan)會(hui)上(shang),賽(sai)(sai)(sai)晶(jing)半導體(ti)科(ke)技(浙(zhe)江)有限公司(以下(xia)簡稱“賽(sai)(sai)(sai)晶(jing)”)以其創(chuang)新技術和(he)(he)產品成為(wei)焦點,其在(zai)展(zhan)會(hui)上(shang)展(zhan)出的(de)(de)車規級(ji)HEEV封裝(zhuang)SiC模(mo)塊和(he)(he)EVD封裝(zhuang)SiC模(mo)塊,不僅(jin)彰顯了(le)其在(zai)技術創(chuang)新上(shang)的(de)(de)領先地位,更(geng)展(zhan)示(shi)了(le)其巨大潛力和(he)(he)發展(zhan)前(qian)景。在(zai)會(hui)上(shang),賽(sai)(sai)(sai)晶(jing)還正式發布了(le)1200V/13mΩ SiC MOSFET芯片(pian),成為(wei)展(zhan)會(hui)上(shang)的(de)(de)焦點之一,贏(ying)得國(guo)內外業內專家和(he)(he)客戶的(de)(de)一致認可和(he)(he)高度贊(zan)譽。

展(zhan)會(hui)期(qi)間,《變頻器世(shi)界》有幸采訪(fang)了(le)賽(sai)晶半導體科技(浙江)有限公司總(zong)經理張強,就賽(sai)晶半導體的(de)現狀與未來的(de)發展(zhan)做(zuo)了(le)深入的(de)了(le)解。

賽晶半導體科技(浙江)有限公司總經理 張(zhang)強(qiang)

01

自研SiC MOSFET芯片,達到行業一流水平

2024年以來,SiC產業(ye)延(yan)續了2023年的火熱(re)態(tai)勢,企業(ye)圍(wei)繞技術研發、簽單合(he)作、投融資、IPO、產能(neng)建設等方面忙得不亦樂乎,各大廠商頻頻有利好消息傳出(chu)。

碳化硅(SiC)作為第三代半導(dao)體(ti)材料,具(ju)有高(gao)(gao)(gao)(gao)(gao)擊穿電(dian)場、高(gao)(gao)(gao)(gao)(gao)飽和(he)(he)電(dian)子(zi)速度、高(gao)(gao)(gao)(gao)(gao)熱導(dao)率(lv)、高(gao)(gao)(gao)(gao)(gao)電(dian)子(zi)密度和(he)(he)高(gao)(gao)(gao)(gao)(gao)遷移率(lv)等特點,適合制造(zao)高(gao)(gao)(gao)(gao)(gao)溫、高(gao)(gao)(gao)(gao)(gao)壓、高(gao)(gao)(gao)(gao)(gao)頻、高(gao)(gao)(gao)(gao)(gao)功率(lv)器(qi)件(jian)。在(zai)張強看來(lai),隨著全(quan)球對于(yu)電(dian)動汽車接納程度的(de)(de)逐(zhu)步提升,SiC在(zai)未來(lai)十(shi)年將會迎來(lai)全(quan)新(xin)的(de)(de)增長契(qi)機(ji)。因此(ci),賽晶直面(mian)SiC市場需求,推出了自研1200V/13mΩSiC MOSFET芯片,致力于(yu)為新(xin)能(neng)源(yuan)汽車和(he)(he)新(xin)能(neng)源(yuan)發(fa)電(dian)客戶提供全(quan)新(xin)的(de)(de)車規級SiC解決方案,以及追求高(gao)(gao)(gao)(gao)(gao)效率(lv)的(de)(de)新(xin)能(neng)源(yuan)功率(lv)器(qi)件(jian)。

賽(sai)晶SiC MOSFET芯片

賽(sai)晶自研碳(tan)化硅(gui)(SiC)芯(xin)(xin)片(pian)優(you)先(xian)考(kao)慮(lv)可靠性,采用了平面柵技(ji)術,在(zai)1200V SiC MOSFET芯(xin)(xin)片(pian)的(de)(de)導通電(dian)阻(zu)(zu)中(zhong),溝(gou)道(dao)電(dian)阻(zu)(zu)占有(you)重(zhong)要比重(zhong),優(you)化元胞尺可以有(you)效(xiao)降(jiang)低(di)溝(gou)道(dao)電(dian)阻(zu)(zu),但是過度的(de)(de)縮小元胞尺寸會由(you)于降(jiang)低(di)注入效(xiao)率而影(ying)響SiC MOSFET體二極(ji)管的(de)(de)性能(neng)。賽(sai)晶的(de)(de)研發人員不斷通過理論與實踐驗(yan)證相結合的(de)(de)方式,最終確認了賽(sai)晶方案(an)的(de)(de)溝(gou)道(dao)電(dian)阻(zu)(zu)最優(you)解并推(tui)出(chu)了1200V/13mΩ的(de)(de)SiC MOSFET芯(xin)(xin)片(pian)。實驗(yan)結果表明,此芯(xin)(xin)片(pian)在(zai)全溫度范圍內的(de)(de)導通電(dian)阻(zu)(zu)都(dou)極(ji)具(ju)競爭力,且降(jiang)低(di)了溫度對導通的(de)(de)影(ying)響。開(kai)關測試(shi)波形顯示此芯(xin)(xin)片(pian)在(zai)開(kai)通和關斷中(zhong)都(dou)具(ju)有(you)平滑的(de)(de)動態波形。800V母線及推(tui)薦(jian)Vge工作條(tiao)件下的(de)(de)短路測試(shi)中(zhong),此芯(xin)(xin)片(pian)也能(neng)夠承受(shou)3μs的(de)(de)短路能(neng)力而不會失效(xiao)。

“源于出(chu)(chu)色的(de)(de)設計和工(gong)藝,我(wo)們的(de)(de)SiC MOSFET芯片在高溫工(gong)作條(tiao)件(jian)下(xia),展(zhan)現出(chu)(chu)了(le)極佳的(de)(de)靜態和動(dong)(dong)態特(te)性,并且達到(dao)了(le)行業(ye)一流水平的(de)(de)1200V/13mΩ。”張強介紹稱,采用此SiC MOSFET芯片,賽(sai)晶(jing)還推出(chu)(chu)了(le)多個型號的(de)(de)車(che)規級、高性能HEEV封裝、EVD封裝SiC模(mo)塊。HEEV封裝、EVD封裝SiC模(mo)塊采用行業(ye)領先的(de)(de)設計和封裝工(gong)藝,具有非(fei)常出(chu)(chu)色的(de)(de)散熱性能,以及極佳的(de)(de)可靠性、魯(lu)棒性,并可以覆蓋100kW至300kW主流電(dian)動(dong)(dong)汽(qi)(qi)車(che)應用需求,特(te)別是電(dian)動(dong)(dong)汽(qi)(qi)車(che)緊湊型逆變器。

同期(qi)展出的(de)賽晶i20 IGBT芯片、ED封(feng)裝(zhuang)(zhuang)IGBT模(mo)(mo)(mo)(mo)塊(kuai)、ST封(feng)裝(zhuang)(zhuang)IGBT模(mo)(mo)(mo)(mo)塊(kuai)、BEVD封(feng)裝(zhuang)(zhuang)IGBT模(mo)(mo)(mo)(mo)塊(kuai)、EP封(feng)裝(zhuang)(zhuang)IGBT模(mo)(mo)(mo)(mo)塊(kuai),以及HEEV封(feng)裝(zhuang)(zhuang)SiC模(mo)(mo)(mo)(mo)塊(kuai)、EVD封(feng)裝(zhuang)(zhuang)SiC模(mo)(mo)(mo)(mo)塊(kuai)產品,同樣受到了(le)與會者的(de)高度關注。

02

聚焦尖端應用,保持SiC技術先進(jin)性

相關(guan)統計數(shu)據顯示,在碳化(hua)硅半導體應用方面,目前(qian)超過60%的需(xu)求(qiu)來自(zi)于新能源(yuan)汽車領域,包括電(dian)機(ji)控(kong)制(zhi)器及充電(dian)設施等;其他應用領域還包括光伏、儲能、工業(ye)控(kong)制(zhi)、消費(fei)電(dian)子及醫療設備等。

中國(guo)作(zuo)為全球最大的(de)(de)(de)新能(neng)(neng)源汽(qi)車(che)市(shi)場,國(guo)內新能(neng)(neng)源發展(zhan)和成長(chang)迅速(su),且未來(lai)也將保持(chi)快速(su)增長(chang),新能(neng)(neng)源車(che)用SiC產品(pin)預計未來(lai)年增長(chang)率(lv)的(de)(de)(de)前景(jing)可觀。而新能(neng)(neng)源汽(qi)車(che)市(shi)場一直是賽晶高度重(zhong)視的(de)(de)(de)領域,并(bing)經過了長(chang)時間的(de)(de)(de)布(bu)局。隨(sui)著(zhu)HEEV封(feng)裝SiC模(mo)塊和EVD封(feng)裝SiC模(mo)塊的(de)(de)(de)推(tui)出,以及自研SiC MOSFET芯片逐步量產,賽晶在新能(neng)(neng)源汽(qi)車(che)領域的(de)(de)(de)產品(pin)布(bu)局正在不(bu)斷地完善。

張強表示,賽(sai)晶目(mu)前在(zai)(zai)碳(tan)化(hua)硅領(ling)域主要聚(ju)焦在(zai)(zai)尖端的應用。賽(sai)晶希望像硅器件一樣(yang),在(zai)(zai)切入賽(sai)道的時(shi)候(hou)有(you)一定的技術領(ling)先性,而不是(shi)在(zai)(zai)價格(ge)上(shang)做競(jing)爭(zheng)。盡管現在(zai)(zai)碳(tan)化(hua)硅還沒有(you)大(da)面積(ji)普及,但競(jing)爭(zheng)已經異常激烈,而這(zhe)種激烈更多的是(shi)表現在(zai)(zai)價格(ge)上(shang)。但在(zai)(zai)汽車(che)市場,大(da)部分客戶仍然(ran)會(hui)將品質、性能放在(zai)(zai)第一位。

賽晶(jing)(jing)半導(dao)體勇做(zuo)行業一(yi)股“清(qing)流(liu)”,搶(qiang)占新能源汽(qi)車高地,始(shi)終(zhong)堅持“不(bu)內卷,做(zuo)自己”的戰略方(fang)針。張強強調,由(you)于(yu)半導(dao)體市(shi)場(chang)的周期(qi)性,導(dao)致缺貨(huo)與過量(liang)供貨(huo)的情況,市(shi)場(chang)供需不(bu)平(ping)衡,作為國產(chan)品(pin)牌(pai),賽晶(jing)(jing)希望在這(zhe)樣一(yi)個過程(cheng)中,能夠在保證質量(liang)以及性能的基礎上(shang)去(qu)(qu)適應(ying)市(shi)場(chang)價(jia)格,去(qu)(qu)體現自身的水平(ping),而不(bu)是(shi)一(yi)味(wei)的去(qu)(qu)參與低價(jia)競爭(zheng)。從(cong)終(zhong)端(duan)市(shi)場(chang)來看(kan),目(mu)前仍然是(shi)由(you)外資品(pin)牌(pai)占主導(dao),這(zhe)也從(cong)側面反映(ying),國產(chan)芯片(pian)廠商在終(zhong)端(duan)應(ying)用還有許多(duo)痛點未解決,因此賽晶(jing)(jing)希望在這(zhe)一(yi)領域將芯片(pian)和(he)產(chan)品(pin)的技術優勢發揮出來,能夠與下游客(ke)戶(hu)實現共贏。

“過去許多(duo)(duo)客(ke)戶看到(dao)國(guo)產(chan)(chan)碳化(hua)硅(gui)首先(xian)會(hui)對產(chan)(chan)品質(zhi)量產(chan)(chan)生(sheng)疑(yi)問(wen),特別是在(zai)汽(qi)車、高鐵等領域(yu),下游(you)(you)客(ke)戶還是傾向(xiang)于國(guo)外品牌(pai)。對此,賽晶(jing)會(hui)堅持保(bao)持技術的先(xian)進(jin)性以及對市場的耐(nai)心,相信國(guo)產(chan)(chan)品牌(pai)會(hui)被(bei)越(yue)來越(yue)多(duo)(duo)的下游(you)(you)客(ke)戶認可采用。”張強表示,賽晶(jing)還制定了“在(zai)碳化(hua)硅(gui)領域(yu)保(bao)持技術優勢,在(zai)技術上緊跟國(guo)際(ji)一線(xian)廠商”的目標。

03

IGBT突破不(bu)斷,推出更多種類產(chan)品

賽晶(jing)擁(yong)有世界(jie)一流的技術(shu)專(zhuan)家團隊,具備深厚的研發實力和豐富的工藝經驗。其(qi)IGBT芯片(pian)和模塊(kuai)產品,在功率密(mi)度(du)、綜合損耗,以(yi)及可靠性、魯棒性等諸(zhu)多(duo)關鍵(jian)性能上,實現超越(yue)(yue)國(guo)內外同類產品的卓越(yue)(yue)表(biao)現,被譽為(wei)國(guo)產精品IGBT的代表(biao)。

賽晶今年在IGBT領域也是突(tu)破不斷,從2021年開始批量生產(chan),賽晶最初只做(zuo)1200V 250A和1700V 200A的產(chan)品,現在產(chan)品種(zhong)類又增加了1200V 200A、150A、100A和1700V 150A、100A、50A(75A)的產(chan)品,大大的豐富(fu)了產(chan)品種(zhong)類。

“每個封(feng)裝廠(chang)家都有自己的(de)(de)(de)細分(fen)專(zhuan)注(zhu)領(ling)域,賽(sai)(sai)晶則專(zhuan)注(zhu)于大功率(lv)器件(jian)的(de)(de)(de)應用產(chan)品(pin)。對(dui)于100A以內的(de)(de)(de)這些(xie)產(chan)品(pin),客戶(hu)大部分(fen)是國內的(de)(de)(de)封(feng)裝廠(chang)。”張強表示,賽(sai)(sai)晶通(tong)過與(yu)這些(xie)客戶(hu)溝通(tong)后發(fa)現,大家的(de)(de)(de)痛(tong)點(dian)與(yu)設(she)備端一致,就是如(ru)何把產(chan)品(pin)的(de)(de)(de)性能做得(de)更(geng)好以及(ji)降(jiang)低(di)成本(ben)這兩(liang)個問題。而賽(sai)(sai)晶針(zhen)對(dui)這兩(liang)個痛(tong)點(dian),與(yu)芯片客戶(hu)建立了良好的(de)(de)(de)業務關(guan)系,未來(lai)將會推(tui)出更(geng)多種類的(de)(de)(de)產(chan)品(pin)。

賽晶今年還(huan)推出了第i23代(dai)IGBT芯片(pian),最大可(ke)(ke)達300A,是目前市(shi)場上(shang)(shang)最大輸(shu)出能(neng)力的(de)(de)芯片(pian),已經進入了測(ce)試階(jie)段,主要應用在(zai)光伏(fu)、風(feng)電、儲能(neng)等領(ling)域。300A的(de)(de)芯片(pian)尺寸(cun)更小,性能(neng)也更好,在(zai)同樣的(de)(de)芯片(pian)面(mian)積上(shang)(shang),以前輸(shu)出200A,現在(zai)可(ke)(ke)以做(zuo)到300A,可(ke)(ke)以大幅降(jiang)低客戶(hu)的(de)(de)終端成本。據(ju)透露,在(zai)明年的(de)(de)PCIM展會(hui)上(shang)(shang),賽晶有望將產品從300A延長至(zhi)50A,屆(jie)時這些產品不僅可(ke)(ke)以涵蓋變頻器等工業領(ling)域,還(huan)能(neng)包括風(feng)電、光伏(fu)、儲能(neng)以及商務電動(dong)汽車等領(ling)域。

張強在采(cai)訪(fang)中強調,賽晶始終將提升產品技術放在第一位,接下來會努力將所有產品覆蓋到終端應用領域。這也是賽晶接下來一年(nian)重(zhong)點要做的事情(qing)。

04

推(tui)進國產(chan)替代進程,以(yi)芯片技術為(wei)核心

作為國產(chan)技(ji)術研發和創新先(xian)鋒,賽晶在(zai)眾多同業中脫穎而(er)出,并快速獲(huo)得客戶及市場的認(ren)可(ke),究其原因,張強總結(jie)了(le)2個關鍵詞——品質和技(ji)術。

張強(qiang)指出,因為產(chan)品(pin)(pin)批量運行過程中,可靠、安全才是(shi)客(ke)(ke)戶(hu)(hu)最在(zai)(zai)(zai)(zai)意的(de)(de)。而(er)國(guo)內客(ke)(ke)戶(hu)(hu)更傾向(xiang)于國(guo)外企業(ye)的(de)(de)產(chan)品(pin)(pin),就是(shi)因為國(guo)外企業(ye)可以(yi)做(zuo)到大批量和小批量同樣的(de)(de)產(chan)品(pin)(pin)效(xiao)果。“賽(sai)晶(jing)在(zai)(zai)(zai)(zai)模塊(kuai)產(chan)品(pin)(pin)方(fang)面的(de)(de)核(he)心競爭(zheng)力就是(shi)品(pin)(pin)質(zhi)(zhi)。比(bi)如我(wo)們(men)應用在(zai)(zai)(zai)(zai)儲能領域的(de)(de)模塊(kuai)產(chan)品(pin)(pin),客(ke)(ke)戶(hu)(hu)可以(yi)做(zuo)到一直使用,賽(sai)晶(jing)的(de)(de)品(pin)(pin)質(zhi)(zhi)是(shi)經(jing)得起(qi)考驗的(de)(de)。”張強(qiang)的(de)(de)話語(yu)中透(tou)露著自信。而(er)賽(sai)晶(jing)的(de)(de)“技術”也是(shi)客(ke)(ke)戶(hu)(hu)特(te)別看(kan)重的(de)(de)。賽(sai)晶(jing)始終(zhong)將產(chan)品(pin)(pin)技術放(fang)在(zai)(zai)(zai)(zai)第(di)一位,從芯片到模塊(kuai)開(kai)發,做(zuo)到了完全自研,擁有(you)眾多專(zhuan)利,形成(cheng)了自有(you)的(de)(de)一套體系,這(zhe)也是(shi)賽(sai)晶(jing)領先(xian)于國(guo)內同行的(de)(de)優勢所在(zai)(zai)(zai)(zai)。

據了解,賽(sai)晶的(de)(de)工廠是(shi)根據國際(ji)上最先進的(de)(de)質量管控理念和自動化(hua)水(shui)平(ping)(ping)以(yi)及信息化(hua)水(shui)平(ping)(ping)的(de)(de)標(biao)(biao)準(zhun)去建設生(sheng)(sheng)產(chan)線,在這條生(sheng)(sheng)產(chan)線產(chan)出(chu)的(de)(de)產(chan)品(pin),從(cong)推(tui)出(chu)到批量供(gong)貨,以(yi)及產(chan)品(pin)后(hou)期的(de)(de)應用,從(cong)客戶(hu)終(zhong)端(duan)的(de)(de)反饋來看,賽(sai)晶的(de)(de)生(sheng)(sheng)產(chan)環節(jie)能(neng)達到國際(ji)領(ling)先的(de)(de)質量水(shui)平(ping)(ping)標(biao)(biao)準(zhun)。賽(sai)晶的(de)(de)模塊產(chan)品(pin)經過嚴格的(de)(de)質量控制和精密的(de)(de)生(sheng)(sheng)產(chan)工藝,也使得最終(zhong)產(chan)品(pin)良率高,產(chan)品(pin)一致性(xing)好(hao)。

“現在整個(ge)行業(ye)非常卷,接下來(lai)幾年,大家(jia)將(jiang)面臨更加(jia)殘酷的(de)(de)(de)淘汰賽,也(ye)正(zheng)是因(yin)為競(jing)(jing)爭激烈,所以最后卷出(chu)來(lai)的(de)(de)(de)中(zhong)國企業(ye)在國際市(shi)場上會非常有競(jing)(jing)爭力。”在張強看來(lai),隨(sui)著新能(neng)源技(ji)術的(de)(de)(de)快速應用,未來(lai)國產器件對進(jin)(jin)口(kou)器件的(de)(de)(de)替代(dai)會是一(yi)個(ge)長期的(de)(de)(de)過(guo)(guo)程(cheng)。并且在未來(lai)的(de)(de)(de)5-10年,經過(guo)(guo)優勝劣汰的(de)(de)(de)過(guo)(guo)程(cheng),最終會誕(dan)生六家(jia)規模較大、致力于不同領域(yu)的(de)(de)(de)半導體企業(ye)。而賽晶也(ye)將(jiang)針對光伏、儲能(neng)、風電等領域(yu)推出(chu)新一(yi)代(dai)對標(biao)國外(wai)品(pin)牌的(de)(de)(de)IGBT產品(pin),希望可(ke)以推進(jin)(jin)國產代(dai)替進(jin)(jin)口(kou)的(de)(de)(de)進(jin)(jin)程(cheng)。

采訪(fang)的(de)最后,張強表示,在(zai)未來的(de)道路(lu)上,賽(sai)(sai)晶會將(jiang)芯片(pian)技(ji)術作為(wei)核心,并將(jiang)更(geng)多的(de)資源和規劃(hua)向芯片(pian)方向傾斜。同時(shi)也會持續(xu)為(wei)國(guo)內市場提供更(geng)好的(de)產品(pin)以及合適的(de)價(jia)格。我(wo)們有信心相信,賽(sai)(sai)晶將(jiang)繼續(xu)在(zai)行業領域中(zhong)一往無(wu)前,成為(wei)中(zhong)國(guo)功率半導體的(de)佼(jiao)佼(jiao)者。

來源(yuan):《變(bian)頻器世界》

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