i23系列芯片組采用(yong)微溝(gou)槽柵IGBT技術(shu)，具有(you)更低(di)的飽和(he)壓降(jiang)（Vce(sat)）和(he)更高的電(dian)流密度，同時可以降(jiang)低(di)開關損耗，符合(he)(he)業界(jie)最高的可靠(kao)性標準和(he)要求。d23系列芯片具有(you)更低(di)的正(zheng)向(xiang)導通壓降(jiang)和(he)反向(xiang)恢復損耗。i23芯片和(he)d23芯片的配合(he)(he)使(shi)用(yong)，能夠有(you)效使(shi)得模塊(kuai)的性能提升，并保證(zheng)模塊(kuai)的可靠(kao)性。

i23芯(xin)片(pian)特點

• 采用微(wei)溝(gou)槽(cao)IGBT技術，實現(xian)超低開(kai)關損(sun)耗（Eon + Eoff）

• 額定電流高(gao)達300A，適(shi)用于1200V/1700V電壓等級(ji)

• 具備寬Rg范圍內的軟(ruan)關斷(duan)可(ke)控性，適用于廣泛的應用場(chang)景

• 高短路承受能力（ISC）

• 正溫度系(xi)數

• 良(liang)好的電(dian)流均衡特性，易于多器件并聯使用

d23芯片特點

• 1200V：先(xian)進(jin)發射極效(xiao)率設(she)計

• 1700V：準局部(bu)壽(shou)命(ming)控制（QLC）設計

• 超低正(zheng)向(xiang)壓降（Vf）與低反向(xiang)恢復(fu)損耗（Erec），同時保(bao)持軟恢復(fu)特性

• 正溫度系(xi)數

• i23 IGBT 和d23二(er)極管芯片(pian)組優化匹配

競爭優勢

• 具有深厚(hou)研發經驗團隊(dui)設計的國產IGBT和二(er)極管芯片(pian)組(zu)

• i23和(he)d23芯(xin)片組的開發，使得(de)兩者性能匹配更佳，并(bing)保證(zheng)配合應用模塊的可靠性

應用領域

• 1500V集中式光(guang)伏(fu)逆(ni)變器(qi)

• 集中(zhong)式儲能變流器(qi)

• 商用車電(dian)驅

• 變頻器(qi)

• 逆變焊機(ji)

• 牽引(yin)輔助電源

• 大功率電(dian)源(yuan)，如UPS等(deng)

• 變頻(pin)電源

i23系(xi)列微溝槽柵IGBT芯(xin)片(pian)，電壓為1200V和(he)1700V產品，現已量產。

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