9月28日上午10時(shi),賽晶電力電子集團有限公司(以下簡(jian)稱“賽晶集團”)及子公司瑞(rui)士SwissSEM Technology AG (以下簡(jian)稱“SwissSEM”)召開(kai)自(zi)主(zhu)技(ji)術IGBT首發(fa)產品發(fa)布會。
賽晶“i20” IGBT芯片技(ji)術(shu)的首(shou)款產品(pin)1200V/200A 芯片 和 賽晶ED-Type IGBT模(mo)塊(kuai)技(ji)術(shu)的首(shou)款產品(pin)1200V/600A 模(mo)塊(kuai),正式發布(bu)!
自2019年3月(yue),賽(sai)晶(jing)集團宣布啟動IGBT項目(mu),致(zhi)力于打(da)造具有(you)國際(ji)水平(ping)的自主(zhu)技(ji)術(shu)IGBT芯(xin)片和模塊產(chan)品至(zhi)今,短(duan)短(duan)的1年零6個月(yue)時間(jian)里。賽(sai)晶(jing)不僅(jin)組建技(ji)術(shu)團隊并設立了(le)全面負責IGBT業務的SwissSEM公(gong)司,還(huan)高(gao)效的完成(cheng)了(le)技(ji)術(shu)路線論證、供應鏈體系建立、生產(chan)基地動工等一系列工作(zuo)。
今天,夢想(xiang)走進現實,終于迎來了賽(sai)晶(jing)(jing)IGBT首發產品的(de)正式揭幕(mu)。全體賽(sai)晶(jing)(jing)人激動萬分(fen),各界伙伴也紛(fen)紛(fen)送上了祝賀與祝福(fu)。
領(ling)先而獨(du)到的(de)設計(ji),帶來出色的(de)測試(shi)表現
在發(fa)(fa)布會中,SwissSEM公司CEO – Roland先生,首(shou)先向大家(jia)致意并介紹了技術研(yan)發(fa)(fa)團隊和項目概況。
此后(hou),SwissSEM公司CTO -Arnost先生(sheng),詳細介紹了IGBT芯片(pian)技(ji)(ji)術的(de)研發規劃、設(she)計(ji)思(si)路、技(ji)(ji)術特(te)點和測試(shi)表(biao)現。
賽晶首款IGBT芯片(pian)產品i20芯片(pian),采用精細溝槽、窄臺(tai)面、優化(hua)N型增強層、短溝道(dao)、3D結構、優化(hua)P+、優化(hua)的激光退(tui)火緩沖(chong)區和陽極(ji),以及超薄的N-基(ji)底等一系列行業(ye)前沿設(she)計(ji),帶來了(le)卓越的性能表現。
Arnost先(xian)生還鄭(zheng)重承諾(nuo),一(yi)定會將SwissSEM打造(zao)成高(gao)性(xing)能、高(gao)品質IGBT器件的代名詞。
SwissSEM公司COO – Sven先生(sheng),重點(dian)為大(da)家(jia)介(jie)紹了首款模塊產品 ED-Type模塊。
該模塊特別采(cai)用了可以(yi)提高均流性能近2倍的直線布局,極大(da)的改(gai)善了可靠性和穩定性。
此外,源于嚴格的供應商篩選和管理體(ti)系,以及最出(chu)色(se)的制造工藝(yi),使(shi)ED-Type模(mo)塊樣品在測(ce)試中,經過(guo)3倍于設(she)計壽命后,六(liu)個(ge)樣品中也僅有一個(ge)出(chu)現了(le)失效。這樣優異表現的大大超出(chu)了(le)預期。
最后,Roland先(xian)生為大家展(zhan)示了SwissSEM公司的發(fa)展(zhan)藍圖。
不(bu)僅由SwissSEM獨(du)家研發并已在申請專利的(de)(de)ST-Type模塊,讓大家眼(yan)前一亮。另一方面,針對(dui)(dui)電動汽(qi)車(che)(che)領域的(de)(de)第(di)7代(dai)微溝槽技(ji)術(shu)i21芯(xin)片,使用新材料SiC的(de)(de)M2x芯(xin)片,以及具(ju)有獨(du)到技(ji)術(shu)的(de)(de)EV-Type模塊,也讓人感受(shou)到了SwissSEM對(dui)(dui)于電動汽(qi)車(che)(che)領域的(de)(de)高(gao)度重視(shi)和出色技(ji)術(shu)。
不忘初心(xin),砥礪(li)前行
自賽晶(jing)集團董事長項頡(jie)先生(sheng),懷(huai)揣(chuai)著技術強國(guo)(guo)的(de)夢想回(hui)國(guo)(guo)創立賽晶(jing)集團至今,已經過去了(le)將(jiang)近20年。今天,在祖國(guo)(guo)生(sheng)日(ri)的(de)前夕,我們(men)迎來了(le)首(shou)個(ge)IGBT研(yan)發(fa)成果,令人激動,令人振奮。
然(ran)而(er),作(zuo)(zuo)為(wei)一(yi)項難度極高的(de)(de)硬(ying)科(ke)(ke)技,IGBT研發的(de)(de)后續工作(zuo)(zuo)和產業化依然(ran)要秉(bing)承著(zhu)“務實、認真”的(de)(de)科(ke)(ke)技工匠精(jing)神(shen),一(yi)步(bu)一(yi)個腳印的(de)(de)走穩、走好。這(zhe)樣才能(neng)拿出品(pin)質過硬(ying),性能(neng)領先的(de)(de)一(yi)流產品(pin)。在(zai)本次發布會后,賽晶(jing)將立(li)即對首發樣品(pin)開始進一(yi)步(bu)的(de)(de)測(ce)試和驗(yan)證,在(zai)2020年底前(qian)量(liang)產,并送(song)給客戶(hu)開始應用驗(yan)證。
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