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賽晶參加PSiC2020 第三屆中國國際新能源汽車功率半導體關鍵技術論壇 并做主題報告

發布時間:2020-08-22

2020年8月21日(ri),由PSiC、中(zhong)(zhong)(zhong)國電(dian)(dian)力(li)電(dian)(dian)子產業(ye)網、北京電(dian)(dian)力(li)電(dian)(dian)子學會、中(zhong)(zhong)(zhong)國電(dian)(dian)源學會元器件(jian)專(zhuan)業(ye)委員會、中(zhong)(zhong)(zhong)國新(xin)能源汽車半導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)關鍵(jian)技術(shu)與(yu)(yu)產業(ye)聯盟(meng)、寬禁帶半導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)電(dian)(dian)力(li)電(dian)(dian)子器件(jian)國家重點實驗室、中(zhong)(zhong)(zhong)國功率器件(jian)封測設備與(yu)(yu)材料(liao)產業(ye)聯盟(meng)、中(zhong)(zhong)(zhong)國功率半導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)工程師(shi)聯盟(meng)主辦,PSiC2020第三屆中(zhong)(zhong)(zhong)國國際(ji)新(xin)能源汽車功率半導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)關鍵(jian)技術(shu)論壇在(zai)無錫舉辦。

此次(ci)論壇以“創(chuang)芯?謀局”為主題,聚焦芯片(pian)基礎,整合材料、設備(bei)、器(qi)件、電(dian)驅動(dong)、整車(che)產業(ye)鏈資源(yuan),打造創(chuang)新(xin)格局,推動(dong)新(xin)能源(yuan)汽車(che)及功率半導體產業(ye)可持續發(fa)展。共有近300名新(xin)能源(yuan)汽車(che)功率半導體產業(ye)鏈專業(ye)人士參加論壇。

論壇上,賽晶亞太半導(dao)體科技(浙江)有限公(gong)司(si)公(gong)司(si)總(zong)(zong)經理張強先(xian)生出席論壇并(bing)致(zhi)辭。SwissSEM公(gong)司(si)副總(zong)(zong)裁Raffael先(xian)生通過(guo)視頻的方式(shi)發表主題報告(gao)。

Raffael先(xian)生(sheng)通過名為“新(xin)型IGBT—電(dian)能(neng)(neng)驅動(dong)及(ji)可再生(sheng)能(neng)(neng)源(yuan)”的(de)主(zhu)題(ti)報(bao)告,詳細介紹了SwissSEM及(ji)其(qi)芯片與(yu)模塊技(ji)術(shu),在電(dian)動(dong)汽車(che)和(he)可再生(sheng)能(neng)(neng)源(yuan)領域的(de)優勢和(he)應(ying)用前景。首次公(gong)開了研發(fa)路線圖(tu),以及(ji)IGBT芯片技(ji)術(shu)的(de)命名方(fang)式和(he)技(ji)術(shu)特(te)點。

此外,還詳細介紹了兩(liang)款IGBT模(mo)(mo)塊技術,ED-Type 和EV-Type。ED-Type模(mo)(mo)塊,是可(ke)再(zai)生能源、工業變流(liu)、專用(yong)(yong)電動(dong)汽車的通用(yong)(yong)型(xing)IGBT模(mo)(mo)塊,具有低能耗、高可(ke)靠性、高耐(nai)用(yong)(yong)性等優點。賽(sai)晶即將(jiang)推出(chu)的首款IGBT模(mo)(mo)塊產品,即是一款1200V/600A型(xing)號的ED-Type模(mo)(mo)塊。


EV-Type模塊(kuai),是專門針對乘用(yong)(yong)電(dian)動汽車的(de)應用(yong)(yong)需求,而(er)設計的(de)一款新(xin)型(xing)模塊(kuai)產品。具有更好的(de)惡劣(lie)工況保護能力、更低損耗和電(dian)感、可采用(yong)(yong)單面(mian)(mian)/雙(shuang)面(mian)(mian)水冷技術(其中,最新(xin)的(de)雙(shuang)面(mian)(mian)水冷技術可提高達25%的(de)功率(lv)密度和散(san)熱性(xing)能),并適用(yong)(yong)于(yu)Si和SiC兩種芯片。


論(lun)壇同期的展覽展示上,賽晶展出了“1200V/600A”ED-Type模塊和“1200V/200A”IGBT晶圓的樣品。

通過本次(ci)論壇,賽晶集團首(shou)次(ci)展示了自主(zhu)研(yan)發(fa)的(de)IGBT樣品(pin)(pin)和(he)(he)最新前沿技術,憑借創新的(de)產品(pin)(pin)理念、一流的(de)研(yan)發(fa)實力、豐富的(de)行業(ye)經驗,賽晶集團及(ji)其子公司SwissSEM將致(zhi)力于(yu)為電動汽車(che)、可再生能源、工業(ye)變(bian)流等(deng)市場(chang)開發(fa)出具有國(guo)際一流品(pin)(pin)質的(de)IGBT芯片(pian)和(he)(he)模塊產品(pin)(pin)。


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