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賽晶IGBT生產線(xian)竣(jun)工投(tou)產紀實

6月(yue)23日(ri)，賽(sai)(sai)晶(jing)(jing)亞太半導體(ti)IGBT生(sheng)產線竣工(gong)投(tou)(tou)產儀(yi)式在賽(sai)(sai)晶(jing)(jing)IGBT生(sheng)產基地成功舉辦。世界電動汽車(che)協會(hui)創始主(zhu)席及輪(lun)值主(zhu)席、中(zhong)國(guo)工(gong)程(cheng)院院士陳清泉；中(zhong)國(guo)科學(xue)院電工(gong)研究所研究部主(zhu)任溫旭輝；中(zhong)共嘉(jia)興(xing)市委常委、嘉(jia)善(shan)縣委書記洪(hong)湖鵬；嘉(jia)善(shan)縣人民政府副縣長郁曉凡(fan)；中(zhong)共嘉(jia)善(shan)經濟技(ji)(ji)術開發區管委會(hui)黨委書記錢慧；賽(sai)(sai)晶(jing)(jing)科技(ji)(ji)集團(tuan)有限公(gong)司（以(yi)下簡稱：賽(sai)(sai)晶(jing)(jing)科技(ji)(ji)）董事長項(xiang)頡(jie)，以(yi)及賽(sai)(sai)晶(jing)(jing)科技(ji)(ji)董事龔任遠、岳周敏、張靈(ling)、陳世敏、趙航、梁銘樞(shu)、張學(xue)軍等領導出席儀(yi)式，共同見證(zheng)了賽(sai)(sai)晶(jing)(jing)IGBT生(sheng)產線竣工(gong)投(tou)(tou)產的歷(li)史時刻(ke)。

賽晶亞(ya)太半導體IGBT生產線投(tou)產儀式現場

期間(jian)，與會人員參觀(guan)了賽晶亞太(tai)半導體(ti)IGBT生產(chan)線及賽晶科技(ji)展廳(ting)，觀(guan)看了賽晶IGBT研發(fa)規劃(hua)，見證了IGBT智(zhi)能(neng)生產(chan)線，并與中國工程院(yuan)院(yuan)士陳清泉進行了深入交流(liu)，項(xiang)頡董事長還(huan)接(jie)受了媒體(ti)采訪(fang)。

中國工程(cheng)院院士陳清泉（左）與賽晶(jing)科(ke)技董事長項頡（右）

嘉賓致辭(ci)、精(jing)彩紛呈

陳(chen)清泉院士在致辭中表示，賽(sai)晶亞太IGBT項(xiang)目的(de)(de)(de)(de)落成是(shi)嘉善(shan)集成電(dian)路產業生(sheng)態(tai)初步(bu)顯現的(de)(de)(de)(de)生(sheng)動縮影。他對賽(sai)晶科(ke)技在內的(de)(de)(de)(de)科(ke)技創新企業提出了(le)(le)前瞻(zhan)性、獨(du)特性、高端性等三方(fang)面期許，要更加注重(zhong)人(ren)才和核心(xin)技術的(de)(de)(de)(de)培育創新，重(zhong)視政(zheng)府政(zheng)策的(de)(de)(de)(de)驅動。在經營(ying)方(fang)面，應該要更加了(le)(le)解市場，懂得市場，并善(shan)于(yu)利用金融的(de)(de)(de)(de)力量(liang)謀發展，為中國成為科(ke)技強(qiang)國做出貢(gong)獻。

中國工程院院士(shi)陳清泉致辭(ci)

洪湖鵬書記在致辭(ci)中(zhong)(zhong)表(biao)示，在中(zhong)(zhong)國共產(chan)黨(dang)建(jian)黨(dang)一百周年前夕，賽晶亞太IGBT大功率半導(dao)體項(xiang)目(mu)作為嘉(jia)善(shan)發展數字經濟(ji)領域(yu)引進的(de)頭部企(qi)業，對嘉(jia)善(shan)數字經濟(ji)發展具(ju)有里程(cheng)碑(bei)意義。希望(wang)借助(zhu)賽晶亞太IGBT等優質(zhi)(zhi)項(xiang)目(mu)的(de)帶動，借勢借力，努力引進更多優質(zhi)(zhi)的(de)集成電路企(qi)業，逐步完善(shan)產(chan)業鏈。

中共(gong)嘉興(xing)市委常委、嘉善縣(xian)委書記洪(hong)湖鵬致辭

項頡董事長在致(zhi)辭中說，習(xi)近平總書記指(zhi)出：關鍵核心技(ji)(ji)術就是國(guo)之(zhi)重器。IGBT正是這樣的(de)一項關鍵技(ji)(ji)術、大國(guo)重器。IGBT對(dui)新(xin)能(neng)(neng)源汽車、軌道交通(tong)、智能(neng)(neng)電網、節能(neng)(neng)環保等眾多國(guo)家戰略性新(xin)興產業的(de)發(fa)展，具(ju)有重要意義。國(guo)家“十四五”規劃，也將IGBT列(lie)為(wei)了(le)亟待攻關的(de)科技(ji)(ji)前沿領域之(zhi)一。

賽(sai)晶科技(ji)董事長(chang)項頡致(zhi)辭

賽晶科(ke)技作為中(zhong)國電力電子(zi)器件創新研(yan)發(fa)和(he)(he)國產(chan)化(hua)的(de)(de)先(xian)鋒，依托深厚(hou)的(de)(de)行業(ye)積累和(he)(he)國際一(yi)流的(de)(de)技術(shu)團(tuan)隊(dui)，以打造(zao)國際領先(xian)水平的(de)(de)國產(chan)IGBT為使(shi)命，于2019年(nian)3月(yue)(yue)正式(shi)啟動了自主技術(shu)IGBT項目。隨(sui)后，2019年(nian)7月(yue)(yue)賽晶科(ke)技IGBT項目正式(shi)簽約落戶嘉(jia)善，2020年(nian)6月(yue)(yue)賽晶科(ke)技IGBT生產(chan)基地動工建設，同年(nian)9月(yue)(yue)首款IGBT芯片和(he)(he)模塊產(chan)品正式(shi)推出。

他表示，生產(chan)(chan)線正式投產(chan)(chan)是(shi)賽晶科技IGBT項目的(de)重要(yao)里程碑，也(ye)是(shi)賽晶科技邁(mai)向國際領先(xian)功率半導體(ti)企業的(de)一個(ge)良好開始(shi)。賽晶科技將繼續秉承“認真、務實”科技工匠(jiang)精神，加快(kuai)IGBT系(xi)列產(chan)(chan)品的(de)研發，推進后續生產(chan)(chan)線的(de)建設，力爭盡早(zao)讓賽晶科技品牌IGBT出(chu)現在千千萬萬的(de)電(dian)(dian)動汽(qi)車、風力發電(dian)(dian)、光伏發電(dian)(dian)、工業變頻設備中。

嘉善(shan)工廠制造流程(cheng)

豪華研發陣(zhen)容打造國際領先(xian)產品

賽(sai)晶科技(ji)(ji)在歐洲擁有三家子(zi)公司(si)，主要(yao)(yao)負責技(ji)(ji)術研(yan)發。其中(zhong)兩家子(zi)公司(si)位于瑞士，分別負責IGBT芯片和模塊技(ji)(ji)術，以及固態開關、固態直流斷路器(qi)技(ji)(ji)術。另外一(yi)家子(zi)公司(si)位于德國，主要(yao)(yao)負責電網的(de)(de)(de)阻抗(kang)測(ce)量技(ji)(ji)術研(yan)究。這(zhe)三家子(zi)公司(si)在各自的(de)(de)(de)技(ji)(ji)術方面都保(bao)持了國際領先和前沿(yan)地(di)(di)位。而賽(sai)晶科技(ji)(ji)在中(zhong)國國內的(de)(de)(de)公司(si)，除保(bao)留部分研(yan)發力量外，更(geng)多集中(zhong)在應(ying)用(yong)層面，以及將來(lai)一(yi)些新芯片和模塊的(de)(de)(de)改型，以便(bian)快速滿足國內市場客(ke)戶的(de)(de)(de)本(ben)地(di)(di)化需求。

項(xiang)頡董事(shi)長介紹道，在IGBT半導體技(ji)術領域，賽(sai)晶科技(ji)的研發(fa)團隊(dui)以原ABB半導體技(ji)術團隊(dui)為主，屬(shu)于(yu)國際一流(liu)豪華陣容。如擁有(you)22項(xiang)專利，發(fa)表53篇(pian)(pian)學(xue)術論(lun)文的Raffel（拉弗爾，音譯）、擁有(you)6項(xiang)專利，發(fa)表25篇(pian)(pian)學(xue)術論(lun)文的Sven（斯(si)文，音譯）、擁有(you)22項(xiang)專利，發(fa)表53篇(pian)(pian)學(xue)術論(lun)文的Arnost（阿(a)諾斯(si)特，音譯）等等。

國際領先研發陣容

賽晶科技國內(nei)工廠的(de)管(guan)理(li)(li)和(he)技術人員(yuan)也都來(lai)自于同行領先企(qi)業，在生產管(guan)理(li)(li)方面(mian)有著非常(chang)豐(feng)富的(de)經(jing)驗。

量(liang)產規劃及(ji)未來發展

去(qu)年11月(yue)，賽(sai)晶(jing)公(gong)司名稱由賽(sai)晶(jing)電(dian)力(li)(li)(li)電(dian)子改名為(wei)賽(sai)晶(jing)科(ke)技，以(yi)體(ti)現科(ke)技領先的(de)核(he)心競(jing)爭力(li)(li)(li)戰略及決心。目前公(gong)司主(zhu)要(yao)有兩個(ge)發展(zhan)方(fang)向，第(di)一是核(he)心電(dian)力(li)(li)(li)電(dian)子元器(qi)(qi)(qi)件，以(yi)IGBT支(zhi)撐電(dian)容、母排、IGBT驅動等核(he)心電(dian)力(li)(li)(li)電(dian)子元器(qi)(qi)(qi)件為(wei)主(zhu)；第(di)二(er)是研發前沿性電(dian)力(li)(li)(li)電(dian)子技術，包(bao)括快速交流、直(zhi)(zhi)流固態(tai)開關、固態(tai)直(zhi)(zhi)流斷路(lu)器(qi)(qi)(qi)等產品。

在核(he)心(xin)電(dian)力電(dian)子元器件領域，賽晶(jing)以自研IGBT技術(shu)為主要攻克方向。項頡董事(shi)長介(jie)紹(shao)說道，嘉善IGBT功(gong)率(lv)半導體項目(mu)于去年(nian)6月份(fen)動工，今(jin)年(nian)三季(ji)度(du)將開(kai)始試生(sheng)產，預計在今(jin)年(nian)四季(ji)度(du)進入批(pi)量正式生(sheng)產。目(mu)前生(sheng)產的(de)(de)是i20芯片(pian)，優于國際上(shang)主流的(de)(de)其它廠商的(de)(de)第(di)4代芯片(pian)。且實(shi)測表(biao)明，與同行企業同樣規格的(de)(de)芯片(pian)相比，賽晶(jing)科技的(de)(de)芯片(pian)功(gong)率(lv)為250A，性能提(ti)高(gao)20%以上(shang)。

i20晶(jing)圓

從芯片到模塊(kuai)開(kai)發，賽晶(jing)科(ke)技做到了完全自(zi)研，擁(yong)有眾多專利(li)，形成(cheng)了自(zi)有的一套體(ti)系，這(zhe)也(ye)是賽晶(jing)科(ke)技的核心(xin)半導體(ti)技術。同時，整個生產線(xian)集成(cheng)了MIS系統，每道工藝都會進行(xing)采(cai)樣(yang)與質(zhi)量(liang)分析(xi)，是目前國內(nei)自(zi)動化(hua)程度最高的生產線(xian)，大大提高了產品質(zhi)量(liang)與產能。

目前國(guo)內(nei)對(dui)IGBT功率(lv)半導(dao)體器件的需求(qiu)日益增加(jia)，特別是受(shou)到(dao)疫(yi)情(qing)的影響，功率(lv)器件供貨嚴重不足。再加(jia)之原材料(liao)上漲、中(zhong)美之間(jian)的貿易戰等因素，導(dao)致(zhi)產(chan)品(pin)價格不斷飆升。市場上的主流需求(qiu)產(chan)品(pin)還(huan)是以1200V 750A模塊為主，在(zai)該領域進(jin)口產(chan)品(pin)仍占大多(duo)數。借著賽晶IGBT生產(chan)線的投(tou)產(chan)契機，相信量產(chan)后對(dui)緩(huan)解行(xing)業缺貨有(you)所幫助，并(bing)加(jia)速進(jin)口替代。

談到IGBT項目量產的后續擴展，項頡董事長表示，賽晶科(ke)技IGBT一期項目共(gong)計規劃建(jian)設2條IGBT芯片(pian)背(bei)面工(gong)(gong)藝(yi)生產線、5條IGBT模(mo)塊封裝測試(shi)生產線，建(jian)成后年產能(neng)將(jiang)達到200萬(wan)件IGBT模(mo)塊產品。IGBT芯片(pian)制造環(huan)節分為正面工(gong)(gong)藝(yi)和(he)背(bei)面工(gong)(gong)藝(yi)。正面工(gong)(gong)藝(yi)比(bi)較標準，主(zhu)要(yao)是(shi)(shi)光刻，而背(bei)面工(gong)(gong)藝(yi)是(shi)(shi)特色工(gong)(gong)藝(yi)，主(zhu)要(yao)是(shi)(shi)離子注入、退(tui)火和(he)剪包(bao)三道(dao)工(gong)(gong)藝(yi)，這些對IGBT芯片(pian)的性能(neng)，如安全工(gong)(gong)作區域(yu)、功(gong)率曲線等起著決定性作用。希望后期賽晶科(ke)技可以逐(zhu)漸完善自己的芯片(pian)背(bei)面線。

賽晶科(ke)技產品路(lu)線圖

在前沿性電(dian)力電(dian)子(zi)技(ji)(ji)術領域(yu)，賽晶(jing)(jing)科(ke)(ke)技(ji)(ji)也取得了(le)突破性的成(cheng)果。自2004年起，賽晶(jing)(jing)科(ke)(ke)技(ji)(ji)自主研發了(le)陽極飽和(he)電(dian)抗器。從最早的50萬伏3000安培換流閥到現在市場需(xu)求的110萬伏6250安培，伴(ban)隨著(zhu)國內特高(gao)(gao)壓(ya)技(ji)(ji)術不(bu)斷進展，賽晶(jing)(jing)科(ke)(ke)技(ji)(ji)的陽極飽和(he)電(dian)抗器技(ji)(ji)術也在隨著(zhu)市場的需(xu)求而不(bu)斷提升。目(mu)前國內的40多個特高(gao)(gao)壓(ya)直流項目(mu)均有使用賽晶(jing)(jing)科(ke)(ke)技(ji)(ji)的該(gai)產品。

去年(nian)(nian)年(nian)(nian)底，賽(sai)晶(jing)科技(ji)在(zai)西安鐵(tie)(tie)路局進(jin)行了一(yi)項(xiang)關(guan)于固(gu)態開(kai)(kai)關(guan)應用(yong)的(de)實(shi)驗項(xiang)目——自動過分項(xiang)。由于高(gao)(gao)鐵(tie)(tie)采用(yong)交流電(dian)，無(wu)法(fa)實(shi)現互聯(lian)，因此每50公里會有一(yi)個無(wu)電(dian)區(qu)。高(gao)(gao)鐵(tie)(tie)開(kai)(kai)到(dao)無(wu)電(dian)區(qu)后會關(guan)掉動力系統，依靠慣性沖(chong)出(chu)無(wu)電(dian)區(qu)。進(jin)入(ru)無(wu)電(dian)區(qu)后高(gao)(gao)鐵(tie)(tie)需要減(jian)速(su)，這對(dui)載(zai)貨運(yun)力有很大影(ying)響(xiang)，比如高(gao)(gao)鐵(tie)(tie)可以(yi)裝載(zai)1萬噸貨物，因需要慣性沖(chong)出(chu)無(wu)電(dian)區(qu)，可能(neng)只能(neng)裝載(zai)8000噸。通過使用(yong)賽(sai)晶(jing)科技(ji)的(de)固(gu)態開(kai)(kai)關(guan)做的(de)自動過分項(xiang)，能(neng)夠保證動車組安全惰行通過無(wu)電(dian)區(qu)，而無(wu)需進(jin)行升(sheng)降弓。

迎接能源市場變革

從政策角(jiao)度看，十四(si)五規劃將IGBT作為一個重要(yao)技術(shu)，碳中和、碳達標使能(neng)源的產生(sheng)(sheng)、消耗結(jie)構發生(sheng)(sheng)很大變化。

發(fa)(fa)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)是(shi)碳(tan)排(pai)放最大的領(ling)域，以后(hou)肯定需要清(qing)潔化，并大量使用光(guang)伏、風電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)等(deng)。在碳(tan)中和(he)、碳(tan)達標后(hou)，輸電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)領(ling)域實現智能(neng)化，會(hui)通(tong)過(guo)特高(gao)壓直(zhi)流(liu)輸電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)、柔性直(zhi)流(liu)輸電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)等(deng)技(ji)術輸送清(qing)潔能(neng)源(yuan)。在用電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)端，電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)氣化越來越多，原以燒(shao)煤、燒(shao)油為主(zhu)的主(zhu)要供能(neng)，逐步被電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)取代，這是(shi)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)氣化道路的發(fa)(fa)展過(guo)程。

所以不管(guan)發(fa)電(dian)(dian)、輸電(dian)(dian)、用電(dian)(dian)，只要(yao)跟(gen)電(dian)(dian)相關(guan)就需要(yao)使(shi)用大功(gong)率半導(dao)體(ti)，功(gong)率半導(dao)體(ti)領域(yu)最核心(xin)的便是(shi)IGBT。所以在碳中和和碳達標的大環境下，IGBT的重要(yao)性比以往更加(jia)凸顯(xian)。未來(lai)10年內，項頡董事長(chang)個人認為(wei)，整個IGBT的市(shi)場(chang)有望在現有基礎上(shang)翻五六倍。

第(di)三代半導體進入研(yan)發階段

第(di)(di)三(san)(san)代(dai)半導(dao)體(ti)主要以碳化硅(gui)、氮化鎵(jia)等材料(liao)為主。與傳統的第(di)(di)一代(dai)、第(di)(di)二代(dai)半導(dao)體(ti)材料(liao)硅(gui)和(he)砷化鎵(jia)相比(bi)，第(di)(di)三(san)(san)代(dai)半導(dao)體(ti)具有禁帶寬度大、擊穿電(dian)場(chang)高、熱導(dao)率大等獨特性(xing)能，使其在光(guang)電(dian)器件、電(dian)力電(dian)子、射頻微(wei)波器件等方面展現出巨(ju)大的潛(qian)力。

《中(zhong)國制造2025》提出，到(dao)(dao)2025年，第三代半導(dao)體(ti)材料實(shi)現(xian)在(zai)5G通(tong)信、高效能(neng)源管理中(zhong)的國產化率(lv)達到(dao)(dao)50%；在(zai)新能(neng)源汽車、消費電子中(zhong)實(shi)現(xian)規模應用，在(zai)通(tong)用照明(ming)市場滲透率(lv)達到(dao)(dao)80%以(yi)上。

在市場需求(qiu)與(yu)良好政策的(de)驅(qu)動下，賽晶(jing)科(ke)技在碳(tan)(tan)化(hua)(hua)(hua)硅方面(mian)也已(yi)經開始逐步布局。項(xiang)頡董事長表示，賽晶(jing)科(ke)技的(de)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)(hua)硅產品(pin)研發(fa)(fa)將分兩(liang)步走(zou)。第一(yi)步是推出碳(tan)(tan)化(hua)(hua)(hua)硅模塊(kuai)(kuai)(kuai)產品(pin)。在6月25日的(de)第四屆中國國際新能源汽車功率半導體關鍵技術(shu)論(lun)壇上(shang)，賽晶(jing)科(ke)技發(fa)(fa)布了(le)下一(yi)代單(dan)面(mian)水(shui)冷IGBT模塊(kuai)(kuai)(kuai)—EV-Type模塊(kuai)(kuai)(kuai)。這是專門針(zhen)對電動汽車的(de)應用需求(qiu)而設計的(de)新型模塊(kuai)(kuai)(kuai)產品(pin)。該模塊(kuai)(kuai)(kuai)的(de)發(fa)(fa)布，將為明年推出的(de)第一(yi)代碳(tan)(tan)化(hua)(hua)(hua)硅模塊(kuai)(kuai)(kuai)做(zuo)準(zhun)備。第二步便(bian)是自主研發(fa)(fa)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)(hua)硅芯(xin)片，由(you)于其技術(shu)成本難度(du)，預(yu)計3-4年后(hou)可實現。

電動汽(qi)車碳化硅模(mo)塊

單純(chun)的將(jiang)IGBT芯(xin)(xin)(xin)片(pian)從模(mo)塊(kuai)(kuai)中取出用碳化(hua)硅(gui)芯(xin)(xin)(xin)片(pian)替(ti)代，不(bu)足以讓(rang)碳化(hua)硅(gui)芯(xin)(xin)(xin)片(pian)性能完全發(fa)揮。因(yin)此，同行企業(ye)(ye)都在開發(fa)單面水冷或雙面水冷技術。賽晶(jing)科(ke)技現在所做(zuo)的，是希望(wang)在行業(ye)(ye)有所突破。比如(ru)目前公司的ED-Type模(mo)塊(kuai)(kuai)里芯(xin)(xin)(xin)片(pian)，采用了全新的直列式(shi)芯(xin)(xin)(xin)片(pian)排列方(fang)(fang)法(fa)，使(shi)芯(xin)(xin)(xin)片(pian)均流(liu)性有了很(hen)大提(ti)高。即將(jiang)推出的ST模(mo)塊(kuai)(kuai)雖然在外觀(guan)形(xing)式(shi)上跟(gen)現在市(shi)場主流(liu)的62mm模(mo)塊(kuai)(kuai)一(yi)樣，但其熱(re)阻、雜散電感、損耗方(fang)(fang)面卻比同類產品提(ti)高25%-40%，模(mo)塊(kuai)(kuai)內部(bu)設計了許多大的改(gai)變。

ED-Type模塊

ED-Type模塊實際產品圖

國(guo)產IGBT崛起之路

2020年(nian)全球IGBT市場(chang)規模達到(dao)了530億元，預(yu)計2027年(nian)將達到(dao)1449億元，年(nian)復合增長率(CAGR)為15.5%1。特(te)別是在新能源汽車以及充電樁領域(yu)，IGBT作(zuo)為核(he)心部(bu)件，需(xu)求(qiu)量也(ye)得到(dao)進(jin)一步(bu)提(ti)升(sheng)。現在中國IGBT應用(yong)市場(chang)已經占到(dao)了全球約40%，市場(chang)發展潛力巨大。

中美貿易戰之前(qian)，國(guo)內用(yong)戶只關心(xin)(xin)價格和及時供貨。中美貿易戰之后，用(yong)戶對(dui)核心(xin)(xin)元器件安全性的重(zhong)視程度(du)提升到了史(shi)無(wu)前(qian)例的水平(ping)。另外(wai)，由于疫(yi)情原因(yin)，國(guo)際大廠交貨也出了問(wen)題，整個(ge)IGBT市場(chang)供不(bu)應求，不(bu)停(ting)在漲(zhang)價。這(zhe)兩點對(dui)國(guo)產IGBT企業來說是(shi)個(ge)很好的發展(zhan)契機。

伴隨著行業(ye)景氣度的好轉和政策的推動，中國很多其它城市簽約功率半導體(ti)項目的數量(liang)逐年增加，國內IGBT在芯片設計、晶圓(yuan)制造、模塊封裝等整(zheng)個產業(ye)鏈基本都有布(bu)局(ju)。整(zheng)體(ti)看來，國產IGBT崛起(qi)之(zhi)路已不遠。

任道(dao)而重遠

賽晶科技(ji)(ji)致力于(yu)打造世界(jie)一流的(de)IGBT芯片和模塊產品，賽晶亞太半導體(ti)IGBT生產線采用了行業(ye)領先(xian)(xian)的(de)技(ji)(ji)術和裝備，代(dai)表了行業(ye)最先(xian)(xian)進的(de)制造水平(ping)，作為世界(jie)范圍內電(dian)(dian)(dian)力電(dian)(dian)(dian)子技(ji)(ji)術創新研發的(de)領先(xian)(xian)企業(ye)，賽晶科技(ji)(ji)正力爭實現“功率半導體(ti)及配(pei)套(tao)器件(jian)”和“新興(xing)電(dian)(dian)(dian)力技(ji)(ji)術”兩大產業(ye)集群的(de)快速發展。

賽晶科技(ji)在為中國(guo)國(guo)產IGBT的崛起而(er)繼續奮斗！