6月25日，在PSiC2021第四(si)屆中國國際新能源汽車功率半導體關鍵技(ji)術(shu)論壇上，賽晶(jing)(jing)科(ke)技(ji)集團有限公司（以下簡稱(cheng)：賽晶(jing)(jing)科(ke)技(ji)）正式發(fa)布了下一(yi)代車載單面冷(leng)卻IGBT模(mo)塊(kuai)——EV-Type模(mo)塊(kuai)。這是專門針對電動(dong)汽車的(de)應用需求(qiu)，而設計的(de)新型模(mo)塊(kuai)產品。

賽晶科技董事長(chang)項頡表示，新(xin)能源(yuan)汽車是全(quan)球各國(guo)(guo)家競相研發(fa)(fa)的(de)新(xin)興產業，是推(tui)動經濟發(fa)(fa)展(zhan)方向轉變，促(cu)進經濟增(zeng)長(chang)的(de)戰(zhan)略需要。賽晶最(zui)新(xin)研發(fa)(fa)針(zhen)對電動汽車領域的(de)單面冷卻IGBT模(mo)塊，應用了(le)目前國(guo)(guo)際(ji)上最(zui)新(xin)的(de)芯片和模(mo)塊設計理念，具有極(ji)高的(de)緊湊性設計，同時也完全(quan)適用于(yu)碳化(hua)硅芯片。期待能與廣大(da)車企攜手合作，在未(wei)來電動車碳化(hua)硅模(mo)塊領域，形成中(zhong)國(guo)(guo)標準。

賽晶科(ke)技瑞士(shi)子公司SwissSEM首(shou)席運營(ying)官(guan)Sven先生(sheng)，通過視頻的(de)方式發(fa)(fa)表主題(ti)報告 “電動汽車和(he)工業(ye)領(ling)域最先進的(de)IGBT”，首(shou)次發(fa)(fa)布了下一代車載單(dan)面冷卻IGBT模塊(kuai)——EV-Type模塊(kuai)。

EV-Type模(mo)塊(kuai)(kuai)相(xiang)當于(yu)三分之(zhi)一的(de)(de)ED-Type模(mo)塊(kuai)(kuai)，如(ru)此(ci)小的(de)(de)尺寸(cun)內(nei)，實現了創紀錄的(de)(de)高電(dian)(dian)流(liu)密度，并包含(han)兩個1.2kV/250A芯(xin)片(pian)組。不僅如(ru)此(ci)，電(dian)(dian)感遠低于(yu)10nH，帶(dai)來了較低過(guo)沖電(dian)(dian)壓；低于(yu)0.9mOhm的(de)(de)極(ji)低接觸電(dian)(dian)阻(zu)，帶(dai)來了極(ji)低的(de)(de)導通壓降。優異的(de)(de)SiN基板，提供了非常低的(de)(de)熱阻(zu)和(he)出(chu)色的(de)(de)功率循環能力內(nei)部熱敏電(dian)(dian)阻(zu)完(wan)成封裝。此(ci)外，EV-Type模(mo)塊(kuai)(kuai)針對(dui)均衡分流(liu)進行了優化(hua)，具(ju)有低損耗(hao)和(he)高可靠(kao)性的(de)(de)特(te)征。同時也(ye)完(wan)全適用于(yu)碳化(hua)硅芯(xin)片(pian)。

賽(sai)晶科技首次(ci)公(gong)開了自主研發的(de)下一代車載(zai)單面冷(leng)卻IGBT模塊及最新(xin)前(qian)沿技術，憑(ping)借(jie)創新(xin)的(de)產(chan)品(pin)理念、國(guo)際(ji)一流(liu)(liu)的(de)研發實力(li)、豐富的(de)行業經驗，以及國(guo)際(ji)頂尖(jian)的(de)技術專家(jia)團隊，賽(sai)晶科技及其子(zi)公(gong)司賽(sai)晶亞(ya)太(tai)半導體將致力(li)于為電(dian)動汽車、可再生能(neng)源、工(gong)業變流(liu)(liu)等市場開發出(chu)具有國(guo)際(ji)一流(liu)(liu)品(pin)質(zhi)的(de)IGBT芯片和(he)模塊產(chan)品(pin)。