9月9日，電力(li)電子元器件領域國內影響(xiang)力(li)最大的(de)(de)行(xing)業展會PCIM Asia 2021在(zai)深圳隆重召開。賽(sai)晶(jing)科(ke)技攜自主技術(shu)IGBT芯片及模(mo)塊、層(ceng)疊(die)母排、數字式IGBT驅動、固態開關、阻抗(kang)測量等產(chan)品參展，受到(dao)廣大與會者的(de)(de)高度關注和熱烈反(fan)響(xiang)。

賽晶(jing)參展的i20+D20 芯片組，以及ED-Type、EV-Type模塊等(deng)IGBT系列產(chan)品，采(cai)用了國(guo)際(ji)領先的設(she)計理念(nian)和制造工(gong)藝，各(ge)項(xiang)性(xing)能(neng)達(da)到(dao)和超過國(guo)內(nei)外(wai)同業(ye)水平(ping)。

i20 芯片組（1200V/250A）

采(cai)用正(zheng)面(mian)精細溝(gou)槽+背(bei)面(mian)場截(jie)止設計，采(cai)用N型(xing)增強、窄(zhai)臺(tai)面(mian)、短溝(gou)道、超薄基底、優化(hua)P+、3D結構等(deng)多(duo)項行業前沿的設計和工藝(yi)，帶來了高達250A的卓越性能。

ED-Type模塊（1200V/750A）

采用(yong)優化的直線布局(ju)，大幅提升了內(nei)部均流表現。結合優異的制造工(gong)藝和(he)嚴(yan)選的原材料，帶來了超低的損(sun)耗(hao)性能和(he)國(guo)際一(yi)流水平的性能和(he)可靠性。

EV-Type模塊及組件(jian)

采(cai)用單面冷卻設計，實現了極高的(de)(de)電(dian)流(liu)密度、較低過沖電(dian)壓、極低的(de)(de)導通(tong)壓降。優異的(de)(de)SiN基板，提供(gong)了非常低的(de)(de)熱阻和出色的(de)(de)功率循環能(neng)力內部熱敏電(dian)阻完成封(feng)裝。此外，針(zhen)對均衡分(fen)流(liu)的(de)(de)優化(hua)，帶來了低損耗(hao)和高可靠性。

不僅如此，賽晶還帶來“數字式IGBT驅動器”、“層疊母排”等功率半導體配套器件，以及“阻抗測量”、“固態開關”等國際前沿性電力電子技術產品。

在全球巨頭林立的PCIM Asia 2021，賽晶(jing)自主技(ji)術IGBT芯片和(he)模塊(kuai)等眾多(duo)產品，憑借國(guo)際一流的技(ji)術水平(ping)和(he)卓越的性能表現(xian)，贏得業內(nei)專家和(he)客戶的一致認可(ke)和(he)高度贊(zan)譽。