賽(sai)(sai)晶(jing)(jing)科(ke)(ke)技(580.HK)于2023年7月27日發布公告：公司控股(gu)子公司賽(sai)(sai)晶(jing)(jing)亞(ya)太半導體科(ke)(ke)技(浙(zhe)江)有(you)(you)限(xian)公司（簡稱“賽(sai)(sai)晶(jing)(jing)半導體”）完成A輪融(rong)(rong)資(zi)(zi)。本次融(rong)(rong)資(zi)(zi)估(gu)值為投后27.2億元人(ren)民幣(bi)，由天(tian)津安晶(jing)(jing)企(qi)業(ye)(ye)(ye)管理咨(zi)詢合(he)(he)伙(huo)(huo)企(qi)業(ye)(ye)(ye)（有(you)(you)限(xian)合(he)(he)伙(huo)(huo)）、無(wu)錫河床潤(run)玉創(chuang)業(ye)(ye)(ye)投資(zi)(zi)合(he)(he)伙(huo)(huo)企(qi)業(ye)(ye)(ye)（有(you)(you)限(xian)合(he)(he)伙(huo)(huo)）、無(wu)錫河床皓玉創(chuang)業(ye)(ye)(ye)投資(zi)(zi)合(he)(he)伙(huo)(huo)企(qi)業(ye)(ye)(ye)（有(you)(you)限(xian)合(he)(he)伙(huo)(huo)）、蘇州亞(ya)禾星(xing)恒創(chuang)業(ye)(ye)(ye)投資(zi)(zi)合(he)(he)伙(huo)(huo)企(qi)業(ye)(ye)(ye)（有(you)(you)限(xian)合(he)(he)伙(huo)(huo)）4家投資(zi)(zi)者(zhe)合(he)(he)計出資(zi)(zi)人(ren)民幣(bi)1.6億元人(ren)民幣(bi)，占股(gu)比例(li)5.88%。本次融(rong)(rong)資(zi)(zi)后，賽(sai)(sai)晶(jing)(jing)科(ke)(ke)技持(chi)股(gu)比例(li)為70.53%。

天津安晶(jing)企業(ye)管理(li)咨詢合(he)(he)伙(huo)企業(ye)（有限(xian)合(he)(he)伙(huo)）為國內知名半導體投資機構。無(wu)錫河床潤玉創業(ye)投資合(he)(he)伙(huo)企業(ye)（有限(xian)合(he)(he)伙(huo)）、無(wu)錫河床皓玉創業(ye)投資合(he)(he)伙(huo)企業(ye)（有限(xian)合(he)(he)伙(huo)）的普通(tong)合(he)(he)伙(huo)人(ren)深圳市(shi)河床玉成(cheng)資產管理(li)有限(xian)公司(si)是一家聚焦(jiao)于新(xin)一代(dai)信息(xi)技(ji)術、新(xin)能源、新(xin)材料、醫療器械等(deng)創新(xin)科技(ji)領域(yu)的私募股權基(ji)金管理(li)人(ren)。其創始人(ren)及團(tuan)隊成(cheng)員擁有海內外市(shi)場多年的投資經(jing)驗。

賽晶半(ban)導體，致力于打(da)造(zao)國(guo)際(ji)領(ling)先(xian)(xian)水平的(de)國(guo)產精品IGBT、SiC芯片及(ji)模塊。自(zi)2019年成立以(yi)來，賽晶半(ban)導體迅(xun)速組建了(le)國(guo)際(ji)一流的(de)研發(fa)團(tuan)隊(dui)。研發(fa)團(tuan)隊(dui)成員，以(yi)來自(zi)業(ye)內國(guo)際(ji)頂級企業(ye)和機(ji)構的(de)技術專家為主，具(ju)備(bei)前沿的(de)研發(fa)理念、領(ling)先(xian)(xian)的(de)技術和工藝(yi)實力、深厚行業(ye)經驗。

賽晶半導(dao)體已經推(tui)出(chu)的i20系列1200V、1700V IGBT芯片(pian)，采用窄臺面、短溝道、3D結構、優化N-型增強層(ceng)和(he)P+層(ceng)等多項行業前沿設計(ji)，具有大功率、低損耗、高可靠性等卓越的芯片(pian)性能(neng)，代表了國內(nei)外業內(nei)同類技術的最高水平(ping)。公(gong)司已經率先實(shi)現(xian)在12寸晶圓代工生產(chan)線(xian)量產(chan)IGBT芯片(pian)，為公(gong)司面向未(wei)來(lai)的產(chan)能(neng)優勢和(he)成本競爭(zheng)力打下堅實(shi)基礎。

此(ci)外(wai)，賽晶半導體已經推(tui)出的(de)ED封(feng)裝(zhuang)、ST封(feng)裝(zhuang)IGBT模(mo)塊，采用顯著提升均流(liu)性(xing)(xing)能的(de)“直(zhi)線型”布局等多項優(you)化設計，并(bing)通過工(gong)業(ye)4.0的(de)全自動(dong)智能制造工(gong)藝(yi)和(he)質量管(guan)理實(shi)現了(le)極佳的(de)產品電(dian)氣性(xing)(xing)能、可(ke)靠性(xing)(xing)、一致性(xing)(xing)。產品一經推(tui)出，便迅速(su)獲得電(dian)動(dong)汽(qi)車、新能源發電(dian)，儲能、SVG及其他工(gong)控領域客戶的(de)廣泛認可(ke)和(he)批(pi)量訂(ding)單。

市場拓展成果顯著，客(ke)戶需(xu)求(qiu)的快(kuai)(kuai)速增長，賽晶(jing)半導體將(jiang)加快(kuai)(kuai)規劃中(zhong)的第三(san)、四條(tiao)模塊(kuai)生(sheng)產(chan)(chan)(chan)線（分別為一(yi)個(ge)(ge)IGBT模塊(kuai)和一(yi)個(ge)(ge)SiC模塊(kuai)生(sheng)產(chan)(chan)(chan)線）的建(jian)設和產(chan)(chan)(chan)能提升。

賽晶半(ban)導(dao)體以技術(shu)(shu)創新為(wei)使命(ming)，始終走在(zai)技術(shu)(shu)探(tan)索的(de)前(qian)沿。近期，賽晶半(ban)導(dao)體將陸續推(tui)出兩款車(che)規級產品 – HEEV封(feng)裝(zhuang)SiC模(mo)塊(kuai)、EVD封(feng)裝(zhuang)SiC模(mo)塊(kuai)和IGBT模(mo)塊(kuai)，以加強在(zai)電動(dong)汽(qi)車(che)市場的(de)產品布局。此(ci)外，微(wei)溝槽(cao)IGBT芯片、SiC MOSFET芯片的(de)研發工作，也已經啟動(dong)。

賽(sai)晶(jing)半導(dao)體(ti)管理層表示：本次融資(zi)所得資(zi)金(jin)，將(jiang)(jiang)重(zhong)點用(yong)于(yu)本公司最新(xin)的(de)(de)IGBT模(mo)塊和(he)(he)SiC模(mo)塊生產線建設。其中，廠房內部建設和(he)(he)設備(bei)采購已經開(kai)始(shi)。此(ci)外(wai)，資(zi)金(jin)還將(jiang)(jiang)用(yong)于(yu)人才團隊(dui)的(de)(de)擴充，以及微溝槽IGBT芯片和(he)(he) SiC芯片等的(de)(de)研發。今年以來，已經有(you)多名具(ju)有(you)國(guo)(guo)(guo)際知(zhi)名半導(dao)體(ti)企業(ye)(ye)工作背(bei)景的(de)(de)國(guo)(guo)(guo)外(wai)技術(shu)專家陸續加入。我們(men)有(you)信心(xin)成為(wei)具(ju)有(you)國(guo)(guo)(guo)際影響力的(de)(de)功率半導(dao)體(ti)企業(ye)(ye)，以最先進的(de)(de)技術(shu)、最優質的(de)(de)產品來服務中國(guo)(guo)(guo)新(xin)能(neng)源產業(ye)(ye)的(de)(de)快速發展(zhan)(zhan)。此(ci)外(wai)，我們(men)也將(jiang)(jiang)在下半年重(zhong)點加強國(guo)(guo)(guo)外(wai)市場拓展(zhan)(zhan)，推動中國(guo)(guo)(guo)制(zhi)造的(de)(de)精(jing)品半導(dao)體(ti)走(zou)向世界。